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boomber1 發表於 2019-2-13 01:28 PM static/image/common/back.gif如果沒有錯，三星的7nm好像還沒有成熟，這個真的要一段時間。
7NM已經是光刻晶片的物理極限，因為在晶片材料的基礎上，電晶體閘長一旦低於 7nm，電晶體中的電子就很容易產生隧穿效應，就是漏電！
三星早將資源投放在3NM了，
三星的3nm碳奈工藝已經完成了性能驗證，
可於2020年大規模量產。
3nm製程將首度導入閘極全環Gate-all-around（GAA）電晶體，這是下一世代電晶體架構，並將配合極紫外光（EUV）微影設備，來克服物理限制。
https://i2.kknews.cc/SIG=33uh9vs/ctp-vzntr/1536551940328n6nr759185.jpg
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台積電真的是台灣之光
但apple手機真的太貴了
完全買不下去
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